是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.1 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-204AH | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.48 W | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MIL | 标称参考电压: | 12 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 0.25 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N4106/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS | |
JANTXV1N4106-1 | MICROSEMI |
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SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
JANTXV1N4106-1 | SENSITRON |
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Zener Diodes | |
JANTXV1N4106-1/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS | |
JANTXV1N4106-1C | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PA | |
JANTXV1N4106-1D | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PA | |
JANTXV1N4106C | MICROSEMI |
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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
JANTXV1N4106C-1/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS | |
JANTXV1N4106CUR | MICROSEMI |
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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS | |
JANTXV1N4106CUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |