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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-7 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-204AH | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.48 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL | 标称参考电压： | 8.7 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 0.25 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N4102 | CENTRAL |
功能相似  |
8.7V,250mW Through-Hole Diode-Zener Single: Low Level |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N4102-1/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 8.7V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| JANTXV1N4102-1C | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JANTXV1N4102-1D | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JANTXV1N4102C | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
|
| JANTXV1N4102C/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 8.7V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| JANTXV1N4102C-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 8.7V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN |
|
| JANTXV1N4102C-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 8.7V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN |
|
| JANTXV1N4102CUR | MICROSEMI |
获取价格 |
GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS |
|
| JANTXV1N4102CUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
|
| JANTXV1N4102CUR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 8.7V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN |
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