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JANTXV1N3910E3

更新时间: 2024-11-28 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 快速恢复能力电源快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 119K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN

JANTXV1N3910E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
Is Samacsys:N应用:FAST RECOVERY POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.75 VJEDEC-95代码:DO-5
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:300 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:30 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/308C最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:15 µA最大反向恢复时间:0.2 µs
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

JANTXV1N3910E3 数据手册

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