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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.31 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-203AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 240 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/260 |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向恢复时间： | 5 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N3671R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), |
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| JANTXV1N3673A | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| JANTXV1N3673AE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, FORMERLY DO-4, |
|
| JANTXV1N3673AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
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| JANTXV1N3766 | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| JANTXV1N3766R | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| JANTXV1N3768 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| JANTXV1N3768R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| JANTXV1N3821 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
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| JANTXV1N3821A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
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