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JANTXV1N3768R

更新时间: 2024-02-03 22:21:42
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 116K
描述
Military Silicon Power Rectifier

JANTXV1N3768R 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-5
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.27Is Samacsys:N
应用:POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-203AB
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:500 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:35 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/297最大重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JANTXV1N3768R 数据手册

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