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JANTXV1N3671R

更新时间: 2024-09-22 13:09:03
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美高森美 - MICROSEMI 二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 800V V(RRM),

JANTXV1N3671R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.23
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 V最大非重复峰值正向电流:220 A
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大输出电流:12 A最大重复峰值反向电压:800 V
子类别:Rectifier DiodesBase Number Matches:1

JANTXV1N3671R 数据手册

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