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JANTXV1N3595-1

更新时间： 2024-02-03 19:33:56

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	125K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN

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JANTXV1N3595-1 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	SIMILAR TO DO-35, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/241H
最大反向恢复时间：	3 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

JANTXV1N3595-1 数据手册

Low Leakage Diode

DO-35 Glass Package

1N3595

Applications

Used in instrumentation applications, where low leakage and high voltage

isolation are important.

Features

DO-35 Glass Package

(nominal dimensions)

Six sigma quality

Metallurgically bonded

glass

0.020"

0.50 mm

BKC's Sigma Bond™ plating

for problem free solderability

LL-34/35 MELF SMD available

Full approval to Mil-S-19500/241

Available up to JANTXV-1 levels

chip

1.0"

25.4 mm

(Min.)

Length

0.145"

3.7 mm

Dia.

0.070"

1.8 mm

"S" level screening available to Source Control Drawings using a

DO-35 tungsten, hard glass voidless package for Space applications

Maximum Ratings

Symbol

PIV

Value

150 (Min.)

150

Unit

Peak Inverse Voltage

Volts

AverageRectifiedCurrent

I_Avg

mAmps

Amps

Continuous Forward Current

I_Fdc

150

Peak Surge Current (t_peak= 1 µsec.)

BKC Power Dissipation @ T_L=50 ^oC, L= 3/8" from body

Storage & Operating Temperature Range

I_peak

4.0

P_tot

500

mWatts

T_{St & Op}

Minimum

0.52

-65 to +200

Maximum

0.68

Electrical Characteristics @ 25^oC

Forward Voltage Drop @ I_F= 1 mA

Forward Voltage Drop @ I_F= 5 mA

Forward Voltage Drop @ I_F= 10 mA

Forward Voltage Drop @ I_F= 50 mA

Forward Voltage Drop @ I_F= 100 mA

Forward Voltage Drop @ I_F= 200 mA

Reverse Leakage Current @ V_R= 125 V

Capacitance @ V_R= 0 V, f = 1mHz

Reverse RecoveryTime (note 1)

Symbol

Unit

Volts

V_F

I_R

0.60

0.75

0.65

0.80

0.74

0.88

0.79

0.92

0.83

1.0

I_R

500 @ 150^oC

8.0

C_T

t_rr

3.0

µSecs

Note 1: Per Method 4031-B of MIL-STD-750 with I_F= 10 mA, V_R= 35V, R_L= 1.0K Ohms, C = 10 Pf

For military parts use the 1N3595-1 number with the appropriate JAN, JTX or JTXV prefix.

The SMD DO-213AA comes in commercial (LL3595) and military versions (1N3595UR-1).

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV1N3595A-1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 125V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PAC
JANTXV1N3595AUR-1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 125V V(RRM), Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS
JANTXV1N3595AUS	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 125V V(RRM)
JANTXV1N3595R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N3595UR-1	MICROSEMI	获取价格	METALLURGICALLY BONDED
JANTXV1N3595US-1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 150V V(RRM), Silicon, MELF-2
JANTXV1N3600	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-7, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN
JANTXV1N3611	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS
JANTXV1N3611US	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2
JANTXV1N3612	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS

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