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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.34 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.25 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/279 |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N3645SM | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| JANTXV1N3646 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| JANTXV1N3646SM | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JANTXV1N3647 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| JANTXV1N3647SM | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JANTXV1N3657 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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| JANTXV1N3657US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JANTXV1N3666-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| JANTXV1N3671A | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| JANTXV1N3671R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), |
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