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JANTXM19500/483-01

更新时间: 2024-01-28 17:22:59
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 375K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 25A, Silicon,

JANTXM19500/483-01 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-XUFM-X5Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.59
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X5JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:150 A元件数量:6
相数:3端子数量:5
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:25 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500最大重复峰值反向电压:200 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JANTXM19500/483-01 数据手册

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JANTXM19500/483-01 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXM19500/483-01 MICROSEMI

当前型号

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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 25A, Silicon,
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXM19500/483-02 MICROSEMI

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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 25A, Silicon,
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 25A, 600V V(RRM), Silicon
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Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 10A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GL
JANTXM19500/483-05 MICROSEMI

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Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G
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