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JANTX1N7058CCU3

更新时间： 2024-11-06 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
16页 175K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN

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JANTX1N7058CCU3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.47其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.05 V
JESD-30 代码：R-XBCC-N3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：130 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500最大重复峰值反向电压：150 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JANTX1N7058CCU3 数据手册

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INCH-POUND  
The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this revision  
shall be completed by 5 May 2010.  
MIL-PRF-19500/731A  
5 February 2010  
SUPERSEDING  
MIL-PRF-19500/731  
26 March 2007  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
* SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, SCHOTTKY, DUAL, CENTER TAP,  
TYPES 1N7058CCU3, 1N7058CCU3C, AND SINGLE DIE, TYPE 1N7038U3, JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS  
This specification is approved for use by all Departments  
and Agencies of the Department of Defense.  
The requirements for acquiring the product described herein  
shall consist ofthis specification sheet and MIL-PRF-19500.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for silicon, Schottky dual and single power  
rectifier diodes for use in high frequency switching power supplies and resonant power converters. Four levels of  
product assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.  
* 1.2 Physical dimensions. See figure 1, U3 and U3C (with ceramic lid) package.  
* 1.3 Maximum ratings. Unless otherwise specified, T = +25°C.  
A
Column 1  
Types  
Column 2  
Column 3  
Column 4  
Column 5  
R
Column 6  
V
I
(1)(2)  
I
R
T
STG  
RWM  
O
FSM  
ΘJC  
ΘJC  
t = 8.3 ms  
p
(2)  
(3)  
and  
T
= +100°C  
C
T
J
T
C
= +25°C  
V dc  
150  
A dc  
30  
A (pk)  
140 (2)  
°C/W  
1.82  
°C/W  
°C  
1N7038U3  
-65 to +150  
1N7058CCU3  
1N7058CCU3C  
150  
30  
130 (2)  
1.75  
3.5  
(1) See temperature-current derating curves in figures 2 and 3.  
(2) Entire package.  
(3) Each leg.  
* 1.4 Primary electrical characteristics.  
a. R  
= 1.82°C/W maximum for 1N7038U3 (figure 4).  
ΘJC  
ΘJC  
b. R  
= 1.75°C/W maximum entire package for 1N7058CCU3 and 1N7058CCU3C (figure 5); R  
ΘJC  
=
3.5°C/W maximum each leg.  
Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to Defense Supply Center,  
Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to  
semiconductor@dscc.dla.mil . Since contact information can change, you may want to verify the currency of  
this address information using the ASSIST Online database at https://assist.daps.dla.mil .  
AMSC N/A  
FSC 5961  
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与JANTX1N7058CCU3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N7064CCU3 INFINEON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
JANTX1N7066 SSDI

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 		10 A, 100 V Hyperfast Recovery Rectifier
JANTX1N7066US SSDI

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 		10 A, 100 V Hyperfast Recovery Rectifier
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 		10 A, 150 V Hyperfast Recovery Rectifier
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 		10 A, 150 V Hyperfast Recovery Rectifier
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 		10 A, 200 V Hyperfast Recovery Rectifier
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 		10 A, 200 V Hyperfast Recovery Rectifier
JANTX1N7069T1 INFINEON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SE
JANTX1N7070CCT3 INFINEON

获取价格

 		16A 100V Hi-Rel Schottky Common Cathode Diode in a TO-257AA package DLA Number 1N7070CCT3
JANTX1N7071CCT8 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 45V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEA

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