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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> JANTX1N6641U
JANTX1N6641U PDF预览

JANTX1N6641U

更新时间： 2024-02-13 06:10:57
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 50V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

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JANTX1N6641U 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-XELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.18Is Samacsys：N
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-XELF-R2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向恢复时间：0.005 µs
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
Base Number Matches：1

JANTX1N6641U 数据手册

 浏览型号JANTX1N6641U的Datasheet PDF文件第2页 
1N6639US  
1N6640US  
1N6641US  
• 1N6639US THRU 1N6641US AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/609  
• SWITCHING DIODES  
• NON-CAVITY GLASS PACKAGE  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Operating Current: 300 mA  
Derating: 4.6 mA/°C Above T  
Surge Current: IFSM = 2.5A, P = 8.3ms  
= + 110°C  
EC  
w
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN  
MAX  
2.16  
0.71  
4.95  
MIN MAX  
0.070 0.085  
0.019 0.028  
0.165 0.195  
0.003MIN.  
D
F
G
1.78  
0.48  
4.19  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise speci½ed.  
S
0.08MIN.  
V
V
I
I
T
T
C
BRR  
RWM  
R1  
R2  
FR  
F
RR  
T
= 0  
TYPES  
@ 10 µA  
@ T = +25°C @ T = +150°C  
I
I
I
= 10 mA  
= 10 mA  
= 100  
V
A
A
R
F
R
R
V
=
V
=
R
R
= 200 mA  
V
V
RWM  
RWM  
L
FIGURE 1  
V
V
nA dc  
µA dc  
ns  
ns  
pF  
(pk)  
(pk)  
1N6639US  
1N6640US  
1N6641US  
100  
75  
75  
75  
50  
50  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
10  
10  
10  
4.0  
4.0  
5.0  
2.5  
2.5  
3.0  
DESIGN DATA  
CASE: D-5D, Hermetically sealed glass  
case, per MIL-PRF- 19500/609  
FORWARD VOLTAGE:  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
V
I
F
F
@
TYPES  
VdC  
mA  
THERMAL RESISTANCE: (R  
50 °C/W maximum at L = 0  
):  
OJEC  
MIN  
MAX  
(PULSED)  
1N6639US  
–
1.20  
500  
0.54  
0.76  
0.82  
0.87  
0.62  
0.86  
0.92  
1.00  
1
50  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 25  
OJX  
1N6640US  
1N6641US  
100  
200  
POLARITY: Cathode end is banded  
–
1.10  
200  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) of this device is approximately  
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting  
Surface System should be selected to  
provide a suitable match with this  
device.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (781) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
159  
12

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与JANTX1N6641U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N6641US MICROSEMI

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 		SWITCHING DIODES
JANTX1N6641US SENSITRON

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 		Small Signal/Switching Diodes
JANTX1N6642 MICROSEMI

获取价格

 		COMPUTER SWITCHING DIODE
JANTX1N6642 SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN
JANTX1N6642R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon,
JANTX1N6642U MICROSEMI

获取价格

 		SWITCHING DIODES
JANTX1N6642U SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, SURFACEMOUNT PACKAGE-2
JANTX1N6642UB MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, CERAMIC PACKAGE-3
JANTX1N6642UB2R MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, CERAMIC PACKAGE-3
JANTX1N6642UBCA MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, CERAMIC PACKAGE-3

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