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JANTX1N6108

更新时间: 2024-11-16 11:22:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTX1N6108 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.37
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:10.83 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:9.1 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JANTX1N6108 数据手册

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JANTX1N6108 替代型号

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