5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-213AB |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.34 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 8 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-213AB | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/115K |
| 标称参考电压： | 4.7 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 2% | 工作测试电流： | 53 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N3825D-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 1%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN |
|
| JANTX1N3825DUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 1%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, DO-213AB, 2 PIN |
|
| JANTX1N3825TR | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
| JANTX1N3825UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
| JANTX1N3825UR-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
| JANTX1N3826 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
| JANTX1N3826A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
| JANTX1N3826A-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN |
|
| JANTX1N3826ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
| JANTX1N3826AUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
