5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | GERMANIUM |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.08 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N270X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
|
| JANTX1N276R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
|
| JANTX1N276X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
|
| JANTX1N277R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium, |
|
| JANTX1N277X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium, |
|
| JANTX1N2804 | MICROSEMI |
获取价格 |
50 Watt Zener Diodes |
|
| JANTX1N2804A | MICROSEMI |
获取价格 |
50 Watt Zener Diodes |
|
| JANTX1N2804B | MICROSEMI |
获取价格 |
50 Watt Zener Diodes |
|
| JANTX1N2804B | MOTOROLA |
获取价格 |
6.8 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
|
| JANTX1N2804C | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
