是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.29 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 30 Ω |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500 | 标称参考电压: | 2.7 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 1% |
工作测试电流: | 20 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANS1N6310DUS | MICROSEMI |
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Zener Diode, 2.7V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, | |
JANS1N6311 | MICROSEMI |
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500 mW GLASS ZENER DIODES | |
JANS1N6311 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, | |
JANS1N6311C | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, D | |
JANS1N6311CUS | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, | |
JANS1N6311D | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, D | |
JANS1N6311DUS | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, | |
JANS1N6311US | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 P | |
JANS1N6312 | MICROSEMI |
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500 mW GLASS ZENER DIODES | |
JANS1N6312C | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, |