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JANS1N4126-1

更新时间: 2024-01-09 16:57:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 90K
描述
SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

JANS1N4126-1 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.71
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W参考标准:MIL-19500
标称参考电压:51 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:1%
工作测试电流:0.25 mABase Number Matches:1

JANS1N4126-1 数据手册

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