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JAN1N988C

更新时间: 2024-02-11 22:27:33
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美高森美 - MICROSEMI 稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
3页 215K
描述
Silicon 500 mW Zener Diodes

JAN1N988C 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.58
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/117标称参考电压:130 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:1%
工作测试电流:0.95 mABase Number Matches:1

JAN1N988C 数据手册

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1N957B, -1 thru 1N992B, -1 DO-35  
Silicon 500 mW Zener Diodes  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
GRAPHS  
Voltage Temperature  
Coefficient %/oC  
mV Change /ºC  
TL – LEAD TEMPERATURE (oC) 3/8” FROM BODY or  
TA on FR4 PC BOARD  
NOMINAL ZENER VOLTAGE (VOLTS)  
FIGURE 1  
FIGURE 2  
POWER DERATING CURVE  
ZENER VOLTAGE TEMPERATURE  
COEFFICIENT vs. ZENER VOLTAGE  
PACKAGE DIMENSIONS  
All dimensions in: INCH  
mm  
FIGURE 3  
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE  
(TYPICAL)  
Copyright 2003  
10-31-2003 REV B  
Microsemi  
Page 3  
Scottsdale Division  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  

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