生命周期: | Transferred | 包装说明: | O-LELF-R2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-213AA | JESD-30 代码: | O-LELF-R2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MIL-19500/127 | 标称参考电压: | 10 V |
最大反向电流: | 1 µA | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 20 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N758AURTR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N758AURTR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N758B | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N758B-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N758BTR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N758BTR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N758BUR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N758BUR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N758BURTR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N758BURTR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES |