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JAN1N749A-1 PDF预览

JAN1N749A-1

更新时间： 2024-11-28 20:23:39
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Zener Diode, 4.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-1

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JAN1N749A-1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-1
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/127标称参考电压：4.3 V
最大反向电流：2 µA表面贴装：NO
技术：ZENER端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL最大电压容差：5%
工作测试电流：20 mABase Number Matches：1

JAN1N749A-1 数据手册

 浏览型号JAN1N749A-1的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N746A-1 THRU 1N759-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/127  
1N746 thru 1N759A  
and  
1N746A-1 thru 1N759A-1  
• 1N4370A-1 THRU 1N4372A-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/127  
and  
1N4370 thru 1N4372A  
and  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
1N4370A-1 thru 1N4372A-1  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500 mW @ +50°C  
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C  
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
JEDEC  
TYPE  
NOMINAL  
ZENER  
ZENER  
TEST  
MAXIMUM  
ZENER  
MAXIMUM  
MAXIMUM  
ZENER  
REVERSE CURRENT  
NUMBER  
VOLTAGE  
CURRENT IMPEDANCE  
(NOTE 3)  
@ 1  
I
@
V
CURRENT  
R
R
V
@ 1  
1
ZT  
1
Z
ZT  
ZM  
(NOTE 1)  
(NOTE 2)  
Z
ZT  
ZT  
VOLTS  
mA  
OHMS  
µ A  
VOLTS  
mA  
1N4370A  
1N4371A  
1N4372A  
2.4  
2.7  
3.0  
20  
20  
20  
30  
30  
29  
100  
60  
1.0  
1.0  
1.0  
155  
140  
125  
30  
FIGURE 1  
1N746A  
1N747A  
1N748A  
3.3  
3.6  
3.9  
20  
20  
20  
28  
24  
23  
5
3
2
1.0  
1.0  
1.0  
120  
110  
100  
DESIGN DATA  
1N749A  
1N750A  
1N751A  
4.3  
4.7  
5.1  
20  
20  
20  
22  
19  
17  
2
5
5
1.0  
1.5  
2.0  
90  
85  
75  
CASE: Hermetically sealed glass  
1N752A  
1N753A  
1N754A  
5.6  
6.2  
6.8  
20  
20  
20  
11  
7
5
5
2
2.5  
3.5  
4.0  
70  
65  
60  
case. DO – 35 outline.  
5
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
1N755A  
1N756A  
1N757A  
7.5  
8.2  
9.1  
20  
20  
20  
6
8
2
1
1
5.0  
6.0  
7.0  
55  
50  
45  
10  
THERMAL RESISTANCE: (R  
):  
250 ˚C/W maximum at L = .375 inch  
1N758A  
1N759A  
10.0  
12.0  
20  
20  
17  
30  
1
1
8.0  
9.0  
40  
35  
OJEC  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 35  
OJX  
NOTE 1  
Zener voltage tolerance on "A" suffix is +5%. No Suffix denotes + 10% tolerance,  
"C" suffix denotes + 2% tollerance and "D" suffix denotes + 1% tolerance.  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
NOTE 2  
NOTE 3  
Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient  
temperature of 25°C + 3°C.  
MOUNTING POSITION: Any.  
Zener impedance is derived by superimposing on 1 A 60Hz rms a.c. current equal  
ZT  
to 10% of 1  
ZT  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		SILICON 400 mW ZENER DIODES
JAN1N749ATR-1 MICROSEMI

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 		SILICON 400 mW ZENER DIODES
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 		SILICON 400 mW ZENER DIODES
JAN1N749AUR-1 CDI-DIODE

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JAN1N749AUR-1 MICROSEMI

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