是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-213AA |
包装说明: | R-LELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.27 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 40 Ω | JEDEC-95代码: | DO-213AA |
JESD-30 代码: | R-LELF-R2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500 |
标称参考电压: | 8.2 V | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 2% | 工作测试电流: | 1 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5528CUR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS | |
JAN1N5528CURTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS | |
JAN1N5528CURTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JAN1N5528D | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | |
JAN1N5528D-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JAN1N5528D-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS | |
JAN1N5528DTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JAN1N5528DUR | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | |
JAN1N5528DUR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JAN1N5528DUR-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |