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JAN1N4134-1

更新时间: 2024-01-08 23:19:02
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
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2页 90K
描述
SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

JAN1N4134-1 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.72
其他特性:LOW NOISE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/435标称参考电压:91 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:1%
工作测试电流:250 mABase Number Matches:1

JAN1N4134-1 数据手册

 浏览型号JAN1N4134-1的Datasheet PDF文件第2页 

JAN1N4134-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N4134-1 MICROSEMI

完全替代

SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES
1N737A MICROSEMI

类似代替

Zener Diode, 91V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N6023A MICROSEMI

功能相似

Axial-Leaded 500 mW Zener Diodes

与JAN1N4134-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N4134-1/TR MICROSEMI

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Zener Diode, 91V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS
JAN1N4134C MICROSEMI

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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
JAN1N4134C/TR MICROSEMI

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Zener Diode, 91V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS
JAN1N4134C-1 CDI-DIODE

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Zener Diode, 91V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN
JAN1N4134C-1/TR MICROSEMI

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Zener Diode, 91V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS
JAN1N4134CUR MICROSEMI

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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS
JAN1N4134CUR-1 MICROSEMI

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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
JAN1N4134CURTR MICROSEMI

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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS
JAN1N4134CURTR-1 MICROSEMI

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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS
JAN1N4134D MICROSEMI

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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES