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JAN1N4122-1/TR

更新时间: 2024-02-26 04:05:46
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 90K
描述
Zener Diode, 36V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN

JAN1N4122-1/TR 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.29
其他特性:LOW NOISE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/435标称参考电压:36 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:1%
工作测试电流:250 mA

JAN1N4122-1/TR 数据手册

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