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JAN1N4112-1

更新时间: 2024-11-15 05:23:07
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 90K
描述
SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

JAN1N4112-1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-XALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.14
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/435F
标称参考电压:18 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:0.25 mABase Number Matches:1

JAN1N4112-1 数据手册

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JAN1N4112-1 替代型号

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