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JAN1N4106C-1

更新时间: 2024-01-13 05:41:08
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 274K
描述
Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN

JAN1N4106C-1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-XALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.52
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:200 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/435F
标称参考电压:12 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:2%工作测试电流:0.25 mA
Base Number Matches:1

JAN1N4106C-1 数据手册

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