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JAN1N3825D-1

更新时间： 2025-09-15 19:19:59
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美国微芯 - MICROCHIP /
页数 文件大小 规格书
2页 31K
描述
稳压精度:±1%;元器件封装:DO-41;

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JAN1N3825D-1 数据手册

 浏览型号JAN1N3825D-1的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N3821A-1 THRU 1N3828A-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/115  
1N3821A thru 1N3828A  
and  
1N3821A-1 thru 1N3828A-1  
• 1 WATT ZENER DIODE  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 1 watt @T = 95°C  
L
Power Derating: 12.5 mW / °C above T = 95°C  
L
Forward Voltage @ 200mA = 1.2 volts maximum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
CDI  
TYPE  
NOMINAL  
ZENER  
ZENER  
TEST  
MAX. DC  
ZENER  
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE  
MAX. REVERSE  
NUMBER  
VOLTAGE  
CURRENT  
CURRENT  
LEAKAGE CURRENT  
V
@ 1  
1
Z
@ 1  
ZT  
Z
@ 1  
ZK=1mA  
1
l
@ V  
Z
ZT  
ZT  
ZT  
ZK  
(NOTE 2)  
ZM  
R
R
(NOTE 1)  
(NOTE 3)  
VOLTS  
mA  
OHMS  
OHMS  
mA  
µ A  
VOLTS  
1N3821  
1N3821A  
1N3822  
3.3  
3.3  
3.6  
3.6  
76  
76  
69  
69  
10  
10  
10  
10  
400  
400  
400  
400  
276  
276  
252  
252  
100  
100  
75  
1
1
1
1
FIGURE 1  
1N3822A  
75  
DESIGN DATA  
1N3823  
1N3823A  
1N3824  
3.9  
3.9  
4.3  
4.3  
64  
64  
58  
58  
9
9
9
9
400  
400  
400  
400  
238  
238  
213  
213  
25  
25  
5
1
1
1
1
CASE: Hermetically sealed glass  
1N3824A  
5
case, DO41.  
1N3825  
1N3825A  
1N3826  
4.7  
4.7  
5.1  
5.1  
53  
53  
49  
49  
8
8
7
7
500  
500  
550  
550  
194  
194  
178  
178  
5
5
3
3
1
1
1
1
LEAD MATERIAL: Copper clad steel  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
1N3826A  
1N3827  
1N3827A  
1N3828  
5.6  
5.6  
6.2  
6.2  
45  
45  
41  
41  
5
5
2
2
600  
600  
700  
700  
162  
162  
146  
146  
3
3
3
3
2
2
3
3
THERMAL RESISTANCE: (R  
):  
OJEC  
80 °C/W maximum at L = .375 inch  
1N3828A  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 15  
OJX  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
NOTE 1  
No suffix = + 10% tolerance on nominal Zener voltage, suffix “A” signifies +5%, suffix “C”  
signifies + 2%, suffix “D” signifies + 1%.  
NOTE 2  
NOTE 3  
Zener impedance is derived by superimposing on 1  
A 60Hz rms a.c. current equal to  
ZT  
MOUNTING POSITION: Any.  
10% of 1  
ZT.  
Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient  
temperature of 25°C + 3°C.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (978) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
29  
12

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与JAN1N3825D-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N3825D-1/TR MICROCHIP

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 		稳压精度:±1%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额
JAN1N3825DUR-1 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 4.7V V(Z), 1%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, DO-213AB, 2 PIN
JAN1N3825DUR-1 MICROCHIP

获取价格

 		稳压精度:±1%;元器件封装:DO-213;
JAN1N3825DUR-1/TR MICROCHIP

获取价格

 		稳压精度:±1%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额
JAN1N3825TR MICROSEMI

获取价格

 		SILICON 1 WATT ZENER DIODES
JAN1N3825UR-1 MICROSEMI

获取价格

 		SILICON 1 WATT ZENER DIODES
JAN1N3825UR-1TR MICROSEMI

获取价格

 		SILICON 1 WATT ZENER DIODES
JAN1N3826 MICROSEMI

获取价格

 		SILICON 1 WATT ZENER DIODES
JAN1N3826A MICROSEMI

获取价格

 		SILICON 1 WATT ZENER DIODES
JAN1N3826A-1 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN

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