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J201

更新时间： 2024-01-25 18:09:11
品牌 Logo 应用领域
CALOGIC 晶体放大器小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 24K
描述
N-Channel JFET General Purpose Amplifier

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J201 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：1 pFJEDEC-95代码：TO-226AA
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

J201 数据手册

  
N-Channel JFET  
General Purpose Amplifier  
CORPORATION  
J201 – J204 / SST201 – SST204  
FEATURES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(TA = 25oC unless otherwise specified)  
High Input Impedance  
Low IGSS  
•
Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -40V  
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -55oC to +150oC  
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55oC to +135oC  
Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300oC  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW  
Derate above 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3mW/oC  
NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
Ratings" may cause permanent damage to the device. These are  
stress ratings only and functional operation of the device at these or  
any other conditions above those indicated in the operational sections  
of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
•
PIN CONFIGURATION  
SOT-23  
G
TO-92  
D
S
ORDERING INFORMATION  
PRODUCT MARKING (SOT-23)  
Part  
Package  
Temperature Range  
SST201  
SST202  
SST203  
SST204  
A01  
A02  
A03  
A04  
G
-55oC to +135oC  
S
D
J201-204  
SST201-204 Plastic SOT-23  
For Sorted Chips in Carriers see 2N4338 series.  
Plastic TO-92  
-55oC to +135oC  
5010  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25oC unless otherwise specified)  
201  
202  
203  
204  
SYMBOL  
PARAMETER  
UNITS TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX  
Gate Reverse Current  
(Note 1)  
IGSS  
-100  
-100  
-100  
-100  
-2.0  
pA  
V
V
DS = 0, VGS = -20V  
Gate-Source Cutoff  
Voltage  
VGS(off)  
BVGSS  
IDSS  
IG  
-0.3  
-40  
0.2  
-1.5 -0.8  
-40  
-4.0 -2.0  
-40  
-10.0 -0.3  
-25  
VDS = 20V, ID = 10nA  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VDS = 0, IG = -1µA  
Saturation Drain Current  
(Note 2)  
1.0 0.9  
4.5 4.0  
20  
0.2 1.2 3.0  
-10  
mA  
pA  
V
DS = 20V, VGS = 0  
Gate Current (Note 1)  
-10  
-10  
-10  
VDG = 20V, ID = IDSS(min)  
Common-Source Forward  
Transconductance (Note 2)  
gfs  
500  
1,000  
1,500  
500 1,500  
µs  
f = 1kHz  
Common-Source Output  
Conductance  
gos  
Ciss  
Crss  
en  
1
4
1
5
3.5  
4
10  
4
2.5  
4
V
V
DS = 20V,  
GS = 0  
Common-Source Input  
Capacitance  
f = 1MHz  
(Note 3)  
pF  
Common-Source Reverse  
Transfer Capacitance  
1
1
1
nV  
√Hz  
Equivalent Short-Circuit  
Input Noise Voltage  
VDS = 10V, f = 1kHz  
GS = 0 (Note 3)  
5
5
10  
V
NOTES: 1. Approximately doubles for every 10oC increase in TA.  
2. Pulse test duration = 2ms.  
3. For design reference only, not 100% tested.  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
J201(OPTION18) TI

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