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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏源导通电阻： | 100 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-226AA | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 135 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| J113L-18 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J113L-18 | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J113L18-1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J113L18-2 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J113L-1TA | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J113L-1TR1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J113L-2-18 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J113L34Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92, |
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| J113LTA | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J113LTR | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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