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IXFL132N50P3

更新时间： 2024-01-11 19:12:27

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFL132N50P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
Base Number Matches：	1

IXFL132N50P3 数据手册

IXFL132N50P3

Fig. 7. Input Admittance

Fig. 8. Transconductance

160

140

120

100

200

180

160

140

120

100

= - 40ºC

= 125ºC

25ºC

- 40ºC

125ºC

100

120

140

160

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

300

250

200

150

100

= 250V

= 66A

= 10mA

= 125ºC

= 25ºC

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

120

160

200

240

280

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 11. Capacitance

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

1000

100

100,000

10,000

1,000

100

iss

Limit

DS(on)

100µs

oss

= 150ºC

= 25ºC

rss

1ms

= 1 MHz

Single Pulse

100

1,000

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6 7

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