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ISV102

更新时间: 2024-01-08 08:07:21
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东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 40K
描述
DIODE 360 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, MINI PACKAGE-2, Variable Capacitance Diode

ISV102 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-PSIP-T2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84最小击穿电压:30 V
标称二极管电容:360 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PSIP-T2
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

ISV102 数据手册

  

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