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ISOPLUS247

更新时间： 2024-01-29 21:24:18

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描述
Uninterruptible power supply

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ISOPLUS247 数据手册

IXA37IF1200HJ

I_C25

V_CES

V_CE(sat)typ

58 A

XPT IGBT

1200

1.8

Copack

C (2)

Part number

IXA37IF1200HJ

(G) 1

E (3)

Features / Advantages:

Applications:

Package:

● Housing: ISOPLUS247

● Easy paralleling due to the positive temperature

coefficient of the on-state voltage

● Rugged XPT design (Xtreme light Punch Through)

results in:

- short circuit rated for 10 µsec.

- very low gate charge

● AC motor drives

● Solar inverter

● Medical equipment

● Uninterruptible power supply

● Air-conditioning systems

● Welding equipment

● Switched-mode and resonant-mode

power supplies

●rIndustry standard outline

●rDCB isolated backside

●rIsolation Voltage 3000 V

●rEpoxy meets UL 94V-0

●rRoHS compliant

- low EMI

- square RBSOA @ 3x Ic

● Thin wafer technology combined with the XPT design

results in a competitive low VCE(sat)

● SONIC™ diode

● Inductive heating, cookers

- fast and soft reverse recovery

- low operating forward voltage

IGBT

R a t i n g s

Conditions

Symbol

V_CES

V_GES

I_C25

Definition

min. typ. max. Unit

V_GE= 0 V

T_VJ= 25°C

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1200

±20

Collector emitter voltage

Maximum DC gate voltage

Collector current

I_C90

P_tot

195

Total power dissipation

I_CES

V_CE= V_CES; V = 0 V

0.1 mA

Collector emitter leakage current

0.1

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE= ±20 V

500

2.1

Gate emitter leakage current

V_CE(sat)

1.8

2.1

I_C=

A; V_GE=

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

Collector emitter saturation voltage

V_GE(th)

Q_Gon

t_d(on)

t _r

5.4

6.5

I_C= 1.5 mA; V_GE= V_CE

Gate emitter threshold voltage

Total gate charge

V_CE= 600 V; V_GE= 15 V; I_C= 35 A

106

Turn-on delay time

Current rise time

Turn-off delay time

Current fall time

t_d(off)

t _f

Inductive load

250

100

3.8

4.1

V_CE= 600 V; I_C= 35 A

Turn-on energy per pulse

Turn-off energy per pulse

T_VJ= 125°C

E_on

V_GE= ±15 V; R = 27

E_off

RBSOA

105

V_GE

15 V;

R_G= 27

Reverse bias safe operation area

V_CEK= 1200 V

Short circuit safe operation area

Short circuit duration

SCSOA

t_SC

V_CE= 900 V; V_GE= ±15 V

T_VJ= 125°C

µs

I_SC

R_G= 27 ; non-repetitive

140

Short circuit current

Thermal resistance juntion to case

R_thJC

0.64 K/W

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

20100623c

Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified

12 3 4 5 6

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