是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SOP, |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 1.01 | 其他特性: | ALSO REQUIRED VEE2 SUPPLY -15V TO 0V |
高边驱动器: | NO | 接口集成电路类型: | AND GATE BASED IGBT/MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 10.3 mm | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 5 A | 输出极性: | TRUE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
座面最大高度: | 2.65 mm | 最大压摆率: | 4.5 mA |
最大供电电压: | 5.5 V | 最小供电电压: | 2.25 V |
标称供电电压: | 5 V | 电源电压1-最大: | 30 V |
电源电压1-分钟: | 15 V | 表面贴装: | YES |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 断开时间: | 0.11 µs |
接通时间: | 0.11 µs | 宽度: | 7.5 mm |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
ISO5452DW | TI |
类似代替 |
High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver with Split Outputs and Active Safe |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ISO5452-Q1 | TI |
获取价格 |
具有分离输出和有源保护功能的汽车类 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动 | |
ISO5452QDWQ1 | TI |
获取价格 |
具有分离输出和有源保护功能的汽车类 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动 | |
ISO5452QDWRQ1 | TI |
获取价格 |
具有分离输出和有源保护功能的汽车类 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动 | |
ISO5500 | TI |
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2.5 A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver | |
ISO5500DW | TI |
获取价格 |
2.5 A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver | |
ISO5500DWR | TI |
获取价格 |
2.5 A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver | |
ISO5500EVM | TI |
获取价格 |
ISO5500EVM | |
ISO5851 | TI |
获取价格 |
High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver with Active Safety Features | |
ISO5851DW | TI |
获取价格 |
High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver with Active Safety Features | |
ISO5851DWR | TI |
获取价格 |
High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver with Active Safety Features |