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ISO5452-Q1
ZHCSFJ9 –SEPTEMBER 2016
ISO5452-Q1 具有分离输出和有源安全特性的高 CMTI 2.5A/5A 隔离式
IGBT、MOSFET 栅极
驱动器
1 特性
2 应用
1
•
适用于汽车电子 应用
•
隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物
半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器:
•
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
–
–
–
–
–
混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块
–
器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 的环境运行温
度范围
工业电机控制驱动
工业电源
–
–
器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A
器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6
太阳能逆变器
感应加热
•
共模瞬态抗扰度 (CMTI)
的最小值为 50kV/μs,典型值为 100kV/μs(VCM
1500V 时)
=
3 说明
•
•
分离输出,可提供 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电
流
ISO5452-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7
kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有分离输出(OUTH
和 OUTL)以及 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能
力。输入端由 2.25V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出
端允许的电源范围为 15V 至
短暂传播延迟:76ns(典型值),
110ns(最大值)
•
•
•
•
2A 有源米勒钳位
输出短路钳位
30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状
态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控
制。
短路期间的软关断 (STO)
在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警,并
通过 RST 复位
内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何
时处于过流状态。检测到 DESAT 时,“静音”逻辑会立
即阻断隔离器输出,并启动软关断过程以禁止 OUTH
并将 OUTL 拉至低电平持续
•
•
具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定
(UVLO)
有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下
默认输出低电平
•
•
•
•
•
•
2.25V 至 5.5V 输入电源电压
2μs。当 OUTL 达到 2V 时(相对于最大负电源电势
15V 至 30V 输出驱动器电源电压
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
VEE2),栅极驱动器输出会被“硬”拉至 VEE2 电势,从
而立即将 IGBT 关断。
器件信息(1)
可承受的浪涌隔离电压达 10000VPK
”
器件型号
封装
SOIC (16)
封装尺寸(标称值)
安全及管理认证:
ISO5452-Q1
10.30mm x 7.50mm
–
符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-
10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 1420
VPK IORM 增强型隔离
(1) 如需了解所有可用封装,请参见数据表末尾的可订购产品附
录。
V
–
–
–
符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS
隔离
功能方框图
VCC1
VCC2
VCC1
UVLO1
UVLO2
CSA 组件验收通知 5A,IEC 60950-1 和 IEC
60601-1 终端设备标准
500 µA
DESAT
GND2
INœ
Mute
9
V
IN+
符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV
认证
VCC2
VCC1
RDY
Gate Drive
and
OUTH
OUTL
Ready
–
–
GB4943.1-2011 CQC 认证
Encoder
Logic
STO
VCC1
已通过 UL、VDE、CQC、TUV 认证并规划进
行 CSA 认证
FLT
Decoder
Q
Q
S
R
2
V
Fault
CLAMP
VCC1
RST
GND1
VEE2
Copyright
© 2016, Texas Instruments Incorporated
1
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English Data Sheet: SLLSEQ5