2SA1264NR

更新时间： 2024-01-30 00:51:04

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
4页	151K
描述
Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1264NR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	55
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1264NR 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1264N

DESCRIPTION

·With TO-3P(I) package

·Complement to type 2SC3181N

·2SA1264 with short pin

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-120

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-8

I_B

Base current

-0.8

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

下载PDF

与2SA1264NR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1265	TOSHIBA	SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE	获取价格
2SA1265	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 140V 10A	获取价格
2SA1265N	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1265N	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1265N	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1265N	TOSHIBA	TRANSISTOR 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power	获取价格