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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1265N | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1265N | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1265N | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1265N | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SA1265NO | ISC |
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Transistor |
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| 2SA1265N-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1265NR | ISC |
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暂无描述 |
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| 2SA1265N-R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1266 | KEC |
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SILICON PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SA1266 | SWST |
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小信号晶体管 |
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