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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.91 |
| 备用内存宽度： | 8 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 2 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 100 | 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256X16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3/5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 串行总线类型： | MICROWIRE | 最大待机电流： | 0.000002 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.002 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms |
| 写保护： | SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS93C66A-3GRI | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66A-3GRLA3 | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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|
| IS93C66A-3GRLI | ISSI | EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 |
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|
| IS93C66A-3P | ISSI | EEPROM, |
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| IS93C66A-3PA | ETC | EEPROM |
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| IS93C66A-3PA3 | ISSI | EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 |
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