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IS93C66A-2GRLI

更新时间： 2024-02-16 03:37:59

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		可编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
16页	131K
描述
2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM

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IS93C66A-2GRLI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
备用内存宽度：	8	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
长度：	4.4 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大待机电流：	0.000001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

IS93C66A-2GRLI 数据手册

PACKAGING INFORMATION

ISSI

Thin Shrink Small Outline TSSOP

Package Code: Z (8 pin, 14 pin)

N/2

TSSOP (Z)

Ref. Std.

No. Leads

JEDEC MO-153

Ref. Std.

No. Leads

JEDEC MO-153

Millimeters

Inches

Millimeters

Inches

Symbol Min

Max

Min

Max

Symbol Min

Max

Min

Max

—

1.20

—

0.047

—

1.20

—

0.047

0.05 0.15

0.80 1.05

0.19 0.30

0.09 0.20

4.90 5.10

4.30 4.50

6.40 BSC

0.002 0.006

0.031 0.041

0.007 0.012

0.0035 0.008

0.193 0.201

0.170 0.177

0.252 BSC

0.05 0.15

0.80 1.05

0.19 0.30

0.09 0.20

2.90 3.10

4.30 4.50

6.40 BSC

0.002 0.006

0.032 0.041

0.007 0.012

0.004 0.008

0.114 0.122

0.169 0.177

0.252 BSC

0.65 BSC

0.026 BSC

0.65 BSC

0.026 BSC

0.45 0.75

0.0177 0.0295

0.45 0.75

0.018 0.030

—

8°

—

8°

—

8°

—

8°

SSIreservestherighttomakechangestoitsproductsatanytimewithoutnoticeinordertoimprovedesignandsupplythebestpossibleproduct. Weassumenoresponsibilityforanyerrorswhichmay

Integrated Silicon Solution, Inc.

Rev B 02/01/02

1...13 14 1516

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