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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SON | 包装说明： | HVSON, SOLCC8,.11,20 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.68 | 备用内存宽度： | 8 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 1 MHz | 数据保留时间-最小值： | 40 |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-XDSO-N8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 3 mm |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256X16 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | HVSON |
| 封装等效代码： | SOLCC8,.11,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 0.8 mm |
| 串行总线类型： | MICROWIRE | 最大待机电流： | 0.000001 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 2 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | 写保护： | SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS93C66A-2GRI | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66A-2GRLI | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66A-2PI | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66A-2PLI | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66A-2ZI | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66A-2ZLI | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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