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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.68 |
| 备用内存宽度： | 8 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 3 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 40 | 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 9.3218 mm | 内存密度： | 2048 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 128 words |
| 字数代码： | 128 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128X16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm | 串行总线类型： | MICROWIRE |
| 最大待机电流： | 0.000004 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.002 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms |
| 写保护： | SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS93C66 | ETC |
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| IS93C66-3 | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66-3G | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66-3GI | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66-3GR | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C66-3GRI | ISSI | 4,096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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