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IS93C56A-3ZI

更新时间： 2024-01-12 04:42:21

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EEPROM

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IS93C56A-3ZI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	备用内存宽度：	8
最大时钟频率 (fCLK)：	2 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	长度：	4.4 mm
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	128 words	字数代码：	128
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128X16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

IS93C56A-3ZI 数据手册

IS93C46A

IS93C56A

IS93C66A

ISSI

AC WAVEFORMS

FIGURE 4. SYNCHRONOUS DATA TIMING

DIN

DOUT = 3-state

FIGURE 5. WRITE (WRITE) CYCLE TIMING

DIN

A0 Dm

BUSY

tDF

DOUT

READY

Notes:

To determine address bits An-A0 and data bits Dm-Do, see Instruction Set for the specific device.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. A

11/12/02

1...7 8 91011 12 13

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