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IS62U6416LL-20T

更新时间： 2024-10-01 02:57:47
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
9页 82K
描述
64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA-LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62U6416LL-20T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：PLASTIC, TSOP2-44针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.92
最长访问时间：200 ns其他特性：CONFIGURABLE AS 64K X 16
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：44
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8/2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000005 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.025 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS62U6416LL-20T 数据手册

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®
ISSI  
IS62U6416LL  
64K x 16 LOW VOLTAGE,  
ADVANCE INFORMATION  
DECEMBER 1998  
ULTRA-LOW POWER CMOS STATIC RAM  
1
FEATURES  
DESCRIPTION  
The ISSI IS62U6416LL is an ultra-low power, 1,048,576-bit  
static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is  
fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology.  
This highly reliable process coupled with innovative circuit  
design techniques yields access times as fast as 200 ns with  
low power consumption.  
• Access time: 200 ns  
2
• CMOS low power operation  
– 40 mW (typical) operating  
– 90 µW (typical) standby  
• TTL compatible interface levels  
• Single 1.8V-2.7V power supply  
3
WhenCEisHIGH(deselected),thedeviceassumesastandby  
mode at which the power dissipation can be reduced down  
with CMOS input levels.  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
4
Easy memory expansion is provided by using Chip Enable  
and Output Enable inputs, CEand OE. The active LOW Write  
Enable (WE) controls both writing and reading of the memory.  
A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)  
access.  
• Three state outputs  
• Data control for upper and lower bytes  
• Industrial temperature available  
5
• Available in Jedec Std 44-pin SOJ package,  
44-pin TSOP (Type II), and 48-pin mini BGA  
6
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
7
64K x 16  
MEMORY ARRAY  
A0-A15  
DECODER  
8
VCC  
GND  
9
I/O0-I/O7  
Lower Byte  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
10  
11  
12  
CIRCUIT  
I/O8-I/O15  
Upper Byte  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
UB  
LB  
The specification contains ADVANCE INFORMATION. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible  
product. We assume no responsibility for any errors which may appear in this publication. © Copyright 1998, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
ADVANCE INFORMATION SR034-0C  
1
12/09/98  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS62U6416LL-20TI ISSI

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