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IS61VPS51236B-200TQLI PDF预览

IS61VPS51236B-200TQLI

更新时间： 2024-02-28 10:30:15
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 1585K
描述
IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

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IS61VPS51236B-200TQLI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LQFP,Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：2.28
最长访问时间：3 nsJESD-30 代码：R-PQFP-G100
长度：20 mm内存密度：18874368 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：100
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
座面最大高度：1.6 mm最大供电电压 (Vsup)：2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：2.375 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

IS61VPS51236B-200TQLI 数据手册

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IS61LPS51236B/IS61VPS51236B/IS61VVPS51236B  
IS61LPS102418B/IS61VPS102418B/IS61VVPS102418B  
1024K x 18, 119-Ball BGA (Top View)  
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/ADSP  
/ADSC  
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NC  
A
ZZ  
VDDQ  
TMS  
TDI  
TCK  
TDO  
NC  
VDDQ  
U
Note: A0 and A1 are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.  
PIN DESCRIPTIONS  
Symbol  
CLK  
A0,A1  
A
Pin Name  
Synchronous Clock  
Synchronous Burst Address Inputs  
Address Inputs  
/ADV  
Synchronous Burst Address Advance  
Address Status Processor  
Address Status Controller  
Burst Sequence Selection  
Synchronous Chip Enable  
Byte Write Enable  
/ADSP  
/ADSC  
MODE  
/CE  
/BWE  
/BWx (x=a-b)  
/GW  
Synchronous Byte Write Inputs  
Global Write Enable  
/OE  
Output Enable  
DQx  
Data Inputs/Outputs  
DQPx  
TCK,TDI,  
TDO,TMS  
ZZ  
Parity Data I/O  
JTAG Pins  
Power Sleep Mode  
No Connect  
Power Supply  
I/O Power Supply  
Ground  
NC  
VDD  
VDDQ  
VSS  
Bottom View  
119-Ball, 14 mm x 22 mm BGA  
Integrated Silicon Solution, Inc.- www.issi.com  
Rev. D  
6
07/31/2017  
1...3456789...33

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与IS61VPS51236B-200TQLI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IS61VPS51236B-200TQLI-TR ISSI IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP

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IS61VPS51236B-250B3LI ISSI Standard SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA165, TFBGA-165

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