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IS41C44004-60T

更新时间： 2024-02-09 16:45:41

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	158K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-24

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IS41C44004-60T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP24/26,.36
针数：	24	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	JESD-609代码：	e0
长度：	17.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP24/26,.36	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

IS41C44004-60T 数据手册

IS41C4400X

IS41LV4400X SERIES

ISSI

READ CYCLE

tRC

tRAS

tRP

RAS

tCSH

tRSH

tRRH

CRP

ASR

CAS CLCH

RCD

CAS

tAR

RAD

tRAL

RAH

tCAH

tASC

ADDRESS

Row

Column

Row

tRCS

tRCH

tAA

tRAC

(1)

tOFF

tCAC

tCLC

Open

Valid Data

I/O

tOE

tOD

tOES

Don’t Care

Note:

1. tOFF is referenced from rising edge of RAS or CAS, whichever occurs last.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. C

09/29/00

1...6 7 8910 11 12...19

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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