IS25C256-2PLI

更新时间： 2024-02-05 09:42:16

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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描述
128K-bit/ 256K-bit SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM

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IS25C256-2PLI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.92
最大时钟频率 (fCLK)：	2 MHz	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	长度：	3 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.001 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	4.4 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE

IS25C256-2PLI 数据手册

IS25C128

IS25C256

128K-bit/ 256K-bit SPI SERIAL

ELECTRICALLY ERASABLE PROM

ISSI

AdvancedInformation

JULY2006

FEATURES

• SerialPeripheralInterface(SPI)Compatible

— Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1)

• LowpowerCMOS

— Active current less than 3.0 mA (2.5V)

— Standby current less than 20 µA (2.5V)

• Low-voltageOperation

— Vcc = 1.8V to 5.5V

• Block Write Protection

— Protect 1/4, 1/2, or Entire Array

• 64 byte page write mode

DESCRIPTION

TheIS25C128andIS25C256areelectricallyerasable

PROM devices that use the Serial Peripheral Interface

(SPI) for communications. The IS25C128 is 128Kbit

(16K x 8) and the IS25C256 is 256Kbit (32K x 8). The

IS25C128/256 EEPROMs are offered in a wide

operating voltage range of 1.8V to 5.5V for compatibility

with most application voltages. ISSI designed the

IS25C128/256 to be an efficient SPI EEPROM solution.

The devices are packaged in 8-pin JEDEC SOIC, 8-pin

EIAJ SOIC, and 8-pin PDIP.

— Partial page writes allowed

• 2.1 MHz Clock Rate (5V)

• Self timed write cycles

— 5ms max @ 2.5V

• High-reliability

— Endurance: 1,000,000 cycles per byte

— Data retention: 100 years

• 8-pin JEDEC SOIC, 8-pin EIAJ SOIC, and 8-pin PDIP

packagesavailable

• IndustrialandAutomotivetemperatureranges

• Lead-freeavailable

ThefunctionalfeaturesoftheIS25C128/256allowthem

to be among the most advanced serial non-volatile

memories available. Each device has a Chip-Select

(CS) pin, and a 3-wire interface of Serial Data In (SI),

Serial Data Out (SO), and Serial Clock (SCK). While

the3-wireinterfaceoftheIS25C128/256providesfor

high-speed access, a HOLD pin allows the memories to

ignore the interface in a suspended state; later the

HOLD pinre-activatescommunicationwithoutre-

initializing the serial sequence. A Status Register

facilitates a flexible write protection mechanism, and a

device-readybit(RDY).

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

IntegratedSiliconSolution,Inc.—1-800-379-4774

Advanced Information Rev. 00E

06/13/06

12 3 4 5 6 7...17

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