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IRS21844

更新时间： 2024-01-05 19:30:30
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器光电二极管
页数 文件大小 规格书
26页 518K
描述
HALF-BRIDGE DRIVER

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IRS21844 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14针数：14
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.05
Is Samacsys：N内置保护：TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e3长度：8.65 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SOURCE AND SINK
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：MOSFET Drivers
最大供电电压：20 V最小供电电压：10 V
标称供电电压：15 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30断开时间：0.4 µs
接通时间：0.9 µs宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

IRS21844 数据手册

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IRS2184/IRS21844(S)PbF  
Dynamic Electrical Characteristics  
V
(V , V ) = 15 V, V = COM, C = 1000 pF, T = 25° C, DT = V unless otherwise specified.  
BIAS CC BS  
L
A
SS  
SS  
Symbol  
Definition  
Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
t
Turn-on propagation delay  
—
—
—
—
—
—
—
280  
4
680  
270  
180  
0
900  
400  
270  
90  
V = 0 V  
S
on  
off  
t
Turn-off propagation delay  
V
= 0 V or 600 V  
S
t
sd  
Shut-down propagation delay  
MTon  
MToff  
Delay matching, HS & LS turn-on  
ns  
Delay matching, HS & LS turn-off  
Turn-on rise time  
0
40  
t
t
40  
20  
400  
5
60  
r
V
S
= 0 V  
Turn-off fall time  
35  
f
Deadtime: LO turn-off to HO turn-on(DT  
520  
6
R
= 0 Ω  
LO-HO) &  
DT  
DT  
HO turn-off to LO turn-on (DT  
µs  
R
= 200 kΩ  
HO-LO)  
- DT  
LO - HO HO-LO  
DT  
—
—
0
50  
R
DT  
=0 Ω  
ns  
MDT  
Deadtime matching = DT  
0
600  
R
= 200 kΩ  
DT  
Static Electrical Characteristics  
V
(V , V ) = 15 V, V = COM, DT= V  
and T = 25 °C unless otherwise specified. The V , V and I  
SS A IL IH, IN  
BIAS CC BS  
SS  
parameters are referenced to V /COM and are applicable to the respective input leads: IN and SD. The V , I and  
SS  
O O,  
R
on  
parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO and LO.  
Symbol  
Definition  
Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
V
Logic “1” input voltage for HO & logic “0” for LO  
2.5  
—
—
—
—
—
—
—
60  
1.0  
25  
—
—
0.8  
—
IH  
V
Logic “0” input voltage for HO & logic “1” for LO  
—
IL  
V
= 10 V to 20 V  
CC  
V
SD,TH+  
SD input positive going threshold  
SD input negative going threshold  
2.5  
—
V
V
0.8  
1.4  
0.2  
50  
SD,TH-  
V
OH  
High level output voltage, V  
- V  
O
—
—
I
O
= 0 A  
BIAS  
V
OL  
Low level output voltage, V  
I
= 20 mA  
O
O
I
LK  
Offset supply leakage current  
Quiescent V supply current  
—
V = V = 600 V  
B S  
µA  
mA  
µA  
I
20  
0.4  
—
150  
1.6  
60  
QBS  
BS  
V
= 0 V or 5 V  
IN  
I
Quiescent V supply current  
CC  
QCC  
I
Logic “1” input bias current  
Logic “0” input bias current  
IN = 5 V, SD = 0 V  
IN = 0 V, SD = 5 V  
IN+  
I
IN-  
—
5.0  
V
V
and V supply undervoltage positive going  
CC BS  
CCUV+  
8.0  
7.4  
8.9  
8.2  
9.8  
9.0  
V
threshold  
V and V supply undervoltage negative going  
CC  
threshold  
BSUV+  
V
V
CCUV-  
BS  
BSUV-  
V
A
V
CCUVH  
BSUVH  
Hysteresis  
0.3  
0.7  
—
V
V
= 0 V,  
O
I
Output high short circuit pulsed current  
Output low short circuit pulsed current  
1.4  
1.8  
1.9  
2.3  
—
—
O+  
PW ≤ 10 µs  
= 15 V,  
V
O
I
O-  
PW ≤ 10 µs  
www.irf.com  
3
1234567...26

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