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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLI630G-030PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLI630G-031PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLI630GPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRLI630GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLI640 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) |
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| IRLI640A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-262AA |
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| IRLI640G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) |
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| IRLI640G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLI640G-002PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI640G-003PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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