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IRLI510A

更新时间： 2024-09-29 22:23:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 269K
描述
ADVANCED POWER MOSFET

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IRLI510A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
雪崩能效等级（Eas）：62 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.6 A
最大漏极电流 (ID)：5.6 A最大漏源导通电阻：0.44 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：37 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLI510A 数据手册

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IRLW/I510A  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
RDS(on) = 0.44Ω  
ID = 5.6 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
♦
♦
♦
♦
♦
♦
♦
♦
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
D2-PAK  
I2-PAK  
175 C Operating Temperature  
°
2
Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
µ
Lower RDS(ON): 0.336 (Typ.)  
Ω
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
100  
5.6  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25°C)  
Continuous Drain Current (TC=100°C)  
Drain Current-Pulsed  
ID  
A
4.0  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
(1)  
20  
A
V
Gate-to-Source Voltage  
20  
±
(2)  
(1)  
(1)  
(3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
62  
mJ  
A
5.6  
3.7  
6.5  
3.8  
37  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
*
Total Power Dissipation (TA=25°C)  
Total Power Dissipation (TC=25°C)  
Linear Derating Factor  
PD  
W
0.25  
W/°C  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +175  
300  
Storage Temperature Range  
°C  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJC  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
4.1  
40  
RθJA  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
RθJA  
62.5  
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
*
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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