IRLI520G

更新时间： 2024-09-30 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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Power MOSFET

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IRLI520G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.06	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	170 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.2 A	最大漏极电流 (ID)：	7.2 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	37 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	29 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLI520G 数据手册

IRLI520G, SiHLI520G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Isolated Package

100

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

Available

f = 60 Hz)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 5 V

0.27

RoHS*

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• Logic-Level Gate Drive

• R_{DS (on)}Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Fast Switching

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.0

_gs(nC)

_gd(nC)

7.1

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

TO-220 FULLPAK

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The molding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRLI520GPbF

SiHLI520G-E3

IRLI520G

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHLI520G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

7.2

Continuous Drain Current

V_GSat 5 V

I_D

T_C=100°C

5.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.24

170

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

7.2

E_AR

3.7

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 4.9 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 7.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 110 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90397

S-Pending-Rev. A, 05-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLI520GPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

与IRLI520G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLI520G-002	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLI520G-002PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLI520G-003	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLI520G-003PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLI520G-004	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLI520G-004PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLI520G-005PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLI520G-006	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLI520G-006PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLI520G-009	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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