5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.09 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 7.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLI520G-012 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI520G-012PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI520G-013PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI520G-015PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI520G-017PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI520G-018 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI520G-019 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI520G-019PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI520G-024 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI520G-024PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
