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IRLI3803-102PBF

更新时间： 2024-09-30 20:55:31
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IRLI3803-102PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.57
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：610 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：76 A
最大漏源导通电阻：0.006 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：470 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLI3803-102PBF 数据手册

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PD - 9.1320B  
IRLI3803  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
D
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Isolated Package  
VDSS = 30V  
RDS(on) = 0.006Ω  
l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS ꢀ  
l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm  
l Fully Avalanche Rated  
G
ID = 76A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional  
insulatinghardwareincommercial-industrialapplications.  
The moulding compound used provides a high isolation  
capability and a low thermal resistance between the tab  
andexternalheatsink. Thisisolationisequivalenttousing  
a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product.  
The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip or  
by a single screw fixing.  
TO-220 FULLPAK  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 5.0V  
Continuous Drain Current, VGS @ 5.0V  
Pulsed Drain Current †  
76  
54  
470  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
63  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.42  
±16  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ‚†  
Avalanche Current†  
610  
mJ  
A
71  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Current  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ†  
Operating Junction and  
6.3  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (1.6mm from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient  
Min.  
––––  
––––  
Typ.  
––––  
––––  
Max.  
2.4  
65  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
8/25/97  
1234567...9

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