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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKU136-12CMNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 211.95A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKU136-12DMNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 211.95A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKU136-12DNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 211.95A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKU136-12DPPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 211.95A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKU136-12EKPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 211.95A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKU136-12ENPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 211.95A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKU136-12FLNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 211.95A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKU136-12FPNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 211.95A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKU136-12FPPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 211.95A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKU136-12N | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|1.2KV V(RRM)|135A I(T) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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